Ferroelektrischer Speicher, 2.7-3.65V, FRAM, 4K - Organized as 512 x 8 bits, High Endurance 10 Billion Read/Writes• 45 Year Data Retention, NoDelay™ Writes, Advanced High-Reliability, Ferroelectric Process
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Diesen Artikel haben wir am Dienstag, 05. Juli 2016 in unseren Katalog aufgenommen.